RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3294
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link