RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Good Wealth Technology Ltd. 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
62
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
21
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link