RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Good Wealth Technology Ltd. 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
62
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
21
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link