RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
62
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link