RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
62
Intorno -195% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
21
Velocità di lettura, GB/s
7.4
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link