RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
62
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
21
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link