RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link