RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
62
Intorno -170% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
23
Velocità di lettura, GB/s
7.4
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link