RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2702
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link