RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2702
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link