RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link