RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link