RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link