RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
65
Около -242% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link