RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2756
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link