RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
65
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link