RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
65
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
37
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link