RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link