RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link