RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
75
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
75
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link