RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
65
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link