RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link