RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
65
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link