RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link