Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB против SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Различия

  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 38
    Около -36% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.6 left arrow 12.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.8 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2174 left arrow 1822
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения