Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 38
    En -36% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 12.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2174 left arrow 1822
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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