RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno -36% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
28
Velocità di lettura, GB/s
12.6
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1822
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link