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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
比较
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
12.6
12.6
写入速度,GB/s
8.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
1822
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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