Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

总分
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

总分
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    8.8 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 38
    左右 -36% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    38 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    12.6 left arrow 12.6
  • 写入速度,GB/s
    8.8 left arrow 8.2
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2174 left arrow 1822
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最新比较