Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Unterschiede

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 38
    Rund um -36% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 12.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 8.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2174 left arrow 1822
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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