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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
1822
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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