RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
1822
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link