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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
1822
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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