RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link