RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против AMD R948G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
AMD R948G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R948G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link