RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3491
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link