RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3263
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link