RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2586
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link