RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link