RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link