RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2894
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link