RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link