RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3097
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link