RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2635
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link