RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2507
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link