RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link