RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link