RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link