RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link