RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3158
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link