RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link