RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link