RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link