RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2675
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link