RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2031
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link