RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
122
Около 80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
122
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link