RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
86
Около 72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
86
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link